文献
J-GLOBAL ID:201702279799019842
整理番号:17A1350201
スピン-オン-グラスソース/ドレインドーピングによるGa_2O_3MOSFETの温度依存特性【Powered by NICT】
Temperature dependent characterization of Ga2O3 MOSFETs with Spin-on-Glass source/drain doping
著者 (2件):
Zeng Ke
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo (SUNY), Buffalo, NY, 14260, USA)
,
Singisetti Uttam
(Electrical Engineering Department, University at Buffalo (SUNY), Buffalo, NY, 14260, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)