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文献
J-GLOBAL ID：201702279827354318
整理番号：17A0527046
半導体やトポロジー絶縁体からWeyl半金属までの多形層状MoTe2
Polymorphic Layered MoTe2 from Semiconductor, Topological Insulator, to Weyl Semimetal
SANKAR Raman
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
SANKAR Raman
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
RAO G. Narsinga
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
MUTHUSELVAM I. Panneer
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
MUTHUSELVAM I. Panneer
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
BUTLER Christopher
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
KUMAR Nitesh
(Max Planck Inst. Chemische Physik fester Stoffe, Dresden, DEU)
,
MURUGAN G. Senthil
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SHEKHAR Chandra
(Max Planck Inst. Chemische Physik fester Stoffe, Dresden, DEU)
,
CHANG Tay-Rong
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
WEN Cheng-Yen
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN Chun-Wei
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LEE Wei-Li
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
LIN M.-T.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
JENG Horng-Tay
(Inst. of Physics, Academia Sinica, Taipei, TWN)
,
JENG Horng-Tay
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
FELSER Claudia
(Max Planck Inst. Chemische Physik fester Stoffe, Dresden, DEU)
,
CHOU F. C.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHOU F. C.
(National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)
,
CHOU F. C.
(Taiwan Consortium of Emergent Crystalline Materials, Ministry of Sci. and Technol., Taipei, TWN)
資料名：
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻： 29 号： 2 ページ： 699-707 発行年： 2017年01月24日
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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