文献
J-GLOBAL ID:201702279838244327
整理番号:17A0453132
窒素ドーピングを用いたアセチレン火炎中のn型半導性ダイヤモンド膜の合成【Powered by NICT】
Synthesis of n-type semiconducting diamond films in acetylene flame with nitrogen doping
著者 (3件):
Okumura Yukihiko
(Department of Control Engineering, National Institute of Technology, Maizuru College, Shiroya 234, Maizuru 625-8511, Japan)
,
Kanayama Kouichi
(Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Maizuru College, Japan)
,
Nishiguchi Hiroaki
(Department of Control Engineering, National Institute of Technology, Maizuru College, Shiroya 234, Maizuru 625-8511, Japan)
資料名:
Proceedings of the Combustion Institute
(Proceedings of the Combustion Institute)
巻:
36
号:
3
ページ:
4409-4417
発行年:
2017年
JST資料番号:
A0273A
ISSN:
1540-7489
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)