文献
J-GLOBAL ID:201702280044842976
整理番号:17A0453566
化学気相蒸着により成長させた大面積MoS_2薄膜のp型遷移金属ドーピング【Powered by NICT】
p-Type transition-metal doping of large-area MoS2 thin films grown by chemical vapor deposition
著者 (9件):
Xu E. Z.
(Department of Physics, Indiana University, Bloomington, IN 47405, USA. sxzhang@indiana.edu)
,
Liu H. M.
,
Park K.
,
Li Z.
,
Losovyj Y.
,
Starr M.
,
Werbianskyj M.
,
Fertig H. A.
,
Zhang S. X.
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
10
ページ:
3576-3584
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)