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文献
J-GLOBAL ID：201702280103205337
整理番号：17A0402811
シリコン上に成長させた閃亜鉛鉱型GaAsナノワイヤにおける双晶と歪緩和【Powered by NICT】
Twins and strain relaxation in zinc-blende GaAs nanowires grown on silicon
Pinero J.C.
(Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain)
,
Araujo D.
(Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain)
,
Pastore C.E.
(Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain)
,
Gutierrez M.
(Dpto. Ciencias de los Materiales, Universidad de Cadiz, 11510, Puerto Real, Cadiz, Spain)
,
Frigeri C.
(Istituto CNR-IMEM Parco Area delle Scienze 37/A, Fontanini, 43010, Parma, Italy)
,
Benali A.
(INL-Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR 5270 Ecole Centrale de Lyon 36, Avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully Cedex, France)
,
Lelievre J.F.
(INL-Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR 5270 Ecole Centrale de Lyon 36, Avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully Cedex, France)
,
Gendry M.
(INL-Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR 5270 Ecole Centrale de Lyon 36, Avenue Guy de Collongue, 69134, Ecully Cedex, France)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 395 ページ： 195-199 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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