文献
J-GLOBAL ID:201702280199859890
整理番号:17A0193656
Cu(In,Ga)Se2およびCu2ZnSnSe4中の準安定点欠陥数の制御と電圧バイアスアニールによる太陽電池
Controlling metastable native point-defect populations in Cu(In,Ga)Se2 and Cu2ZnSnSe4 materials and solar cells through voltage-bias annealing
著者 (3件):
Teeter G.
(National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80403, USA)
,
Harvey S. P.
(National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80403, USA)
,
Johnston S.
(National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80403, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
121
号:
4
ページ:
043102-043102-20
発行年:
2017年01月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)