文献
J-GLOBAL ID:201702280511329253
整理番号:17A1273365
高アバランシェ安定性とアンクランプ誘導スイッチング(UIS)能力を持つRFCダイオード【Powered by NICT】
RFC diode with high avalanche stability and UIS capability
著者 (5件):
Masuoka Fumihito
(Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
,
Tanaka Koji
(Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
,
Kachi Takao
(Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
,
Yoshiura Yasuhiro
(Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
,
Shimizu Kazuhiro
(Power Semiconductor Device Development Dept., Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation, Fukuoka, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ISPSD
ページ:
131-134
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)