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文献
J-GLOBAL ID：201702280614986447
整理番号：17A1917705
新しいシングルエンド無線EV充電器の最適設計とSiC-MOSFETとIGBTの熱的比較評価【Powered by NICT】
Optimum design of a new single-ended wireless EV charger and comparative thermal evaluation of SiC-MOSFET and Si-IGBT
Yamamoto Aoto
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Omori Hideki
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Fukuda Kenji
(Advanced Power Electronics Research Center National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Michikoshi Hisato
(Advanced Power Electronics Research Center National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan)
,
Kimura Noriyuki
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Morizane Toshimitsu
(Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Nakaoka Mutsuo
(University of Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EDPE ページ： 76-81 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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