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文献
J-GLOBAL ID：201702280649899879
整理番号：17A0699513
Cu(In,Ga)(Se,S)-2薄膜の時間分解光ルミネセンスと表面処理効果への太陽電池の温度依存性電流密度-電圧特性【Powered by NICT】
Time-resolved photoluminescence of Cu(In,Ga)(Se,S)2 thin films and temperature dependent current density-voltage characteristics of their solar cells on surface treatment effect
Chantana Jakapan
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
,
Kato Takuya
(Atsugi Research Center, Solar Frontier K. K., Atsugi, Kanagawa 243-0206, Japan)
,
Sugimoto Hiroki
(Atsugi Research Center, Solar Frontier K. K., Atsugi, Kanagawa 243-0206, Japan)
,
Minemoto Takashi
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 17 号： 4 ページ： 461-466 発行年： 2017年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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