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文献
J-GLOBAL ID：201702280725476083
整理番号：17A0110792 -複合注入による絶縁体上のケイ素材料酸化物の全線量放射応答【JST・京大機械翻訳】
The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation
Zheng Zhongshan
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences)
, Ning Jin
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
, Zhang Baiqiang
(School of Physics and Technology, University of Jinan)
, Liu Zhongli
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences)
, Luo Jiajun
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences)
, Han Zhengsheng
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Zhongguo Kexue. Cailiao Kexue
(Zhongguo Kexue. Cailiao Kexue)
巻： 59 号： 8 ページ： 657-664 発行年： 2016年
JST資料番号： C2863A ISSN： 2095-8226 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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