文献
J-GLOBAL ID:201702280791138001
整理番号:17A1250036
完全室温プロセスにより作製したポリエチレンナフタレート上の全スパッタした柔軟性のあるボトムゲートIGZO/Al_2O_3二層薄膜トランジスタ【Powered by NICT】
All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3 bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process
著者 (11件):
Zheng Zeke
(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China. yaorihui@scut.edu.cn ninghl@scut.edu.cn)
,
Zeng Yong
,
Yao Rihui
,
Fang Zhiqiang
,
Zhang Hongke
,
Hu Shiben
,
Li Xiaoqing
,
Ning Honglong
,
Peng Junbiao
,
Xie Weiguang
,
Lu Xubing
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
28
ページ:
7043-7050
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)