文献
J-GLOBAL ID:201702281066287758
整理番号:17A0702698
半導体増強Raman散乱活性ナノ材料と応用【Powered by NICT】
Semiconductor-enhanced Raman scattering: active nanomaterials and applications
著者 (4件):
Han Xiao Xia
(State Key Laboratory of Supramolecular Structure and Materials, Jilin University, 2699 Qianjin Street, Changchun 130012, P.R. China. zhaob@jlu.edu.cn)
,
Ji Wei
,
Zhao Bing
,
Ozaki Yukihiro
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
15
ページ:
4847-4861
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)