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文献
J-GLOBAL ID：201702281108601247
整理番号：17A0754803
温度分布を考慮した高速ウエハレベルIO実験計画と適応リフレッシュを備えた1.2V,20nmの307GB/s HBM DRAM【Powered by NICT】
A 1.2 V 20 nm 307 GB/s HBM DRAM With At-Speed Wafer-Level IO Test Scheme and Adaptive Refresh Considering Temperature Distribution
Sohn Kyomin
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Yun Won-Joo
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Oh Reum
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Oh Chi-Sung
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Seo Seong-Young
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Park Min-Sang
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Shin Dong-Hak
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Jung Won-Chang
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Shin Sang-Hoon
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Ryu Je-Min
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Yu Hye-Seung
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Jung Jae-Hun
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Lee Hyunui
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Kang Seok-Yong
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Sohn Young-Soo
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Choi Jung-Hwan
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Bae Yong-Cheol
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Jang Seong-Jin
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Jin Gyoyoung
(Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 52 号： 1 ページ： 250-260 発行年： 2017年
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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