文献
J-GLOBAL ID:201702281292994459
整理番号:17A1649717
Al_xGa_1xN/GaN MOSHEMTの直流及び交流特性に及ぼすAlGaN障壁層の影響【Powered by NICT】
Impact of AlGaN barrier layer on DC and AC characteristics of AlxGa1-xN/GaN MOSHEMT
著者 (3件):
Tiwari Nishi
(School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar)
,
Gupta Suraj Kumar
(School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar)
,
Mishra S. N.
(School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IEMENTech
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)