文献
J-GLOBAL ID:201702281296094058
整理番号:17A0685981
ナノプローブ技術を用いたサブ10nm nチャネルMOSトランジスタの電子ビーム誘起ダメージの電気的特性評価
Electrical characterization of electron beam induced damage on sub-10 nm n-channel MOS transistors using nano-probing technique
著者 (4件):
KANG Jonghyuk
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
KANG Jonghyuk
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi, KOR)
,
LEE Sungho
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi, KOR)
,
CHOI Byoungdeog
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
55
号:
11
ページ:
111301.1-111301.5
発行年:
2016年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)