文献
J-GLOBAL ID:201702281333882456
整理番号:17A1309788
高選択性シリコンエッチングのためのScAlNエッチマスク
ScAlN etch mask for highly selective silicon etching
著者 (3件):
David Henry Michael
(Sandia National Labs, MESA Fabrication Facility, P.O. Box 5800 MS 1084, Albuquerque, New Mexico 87185-1084)
,
Young Travis R.
(Sandia National Labs, MESA Fabrication Facility, P.O. Box 5800 MS 1084, Albuquerque, New Mexico 87185-1084)
,
Griffin Ben
(Sandia National Labs, MESA Fabrication Facility, P.O. Box 5800 MS 1084, Albuquerque, New Mexico 87185-1084)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
35
号:
5
ページ:
052001-052001-6
発行年:
2017年09月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)