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文献
J-GLOBAL ID：201702281377340262
整理番号：17A0965738
高品質不動態化を用いたテクスチャードシリコン基板上に真性水素化非晶質シリコン(a Si:H)薄膜の研究【Powered by NICT】
Investigation of intrinsic hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films on textured silicon substrate with high quality passivation
Min-Lun Yu
(Department of Energy Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.))
,
Yu-Lin Hsieh
(Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.))
,
Sheng-Kai Jou
(Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.))
,
Li Tomi T.
(Department of Mechanical Engineering, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.))
,
Chien-Chieh Lee
(Optical Science Center, National Central University, Taoyuan, Taiwan (R.O.C.))
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： CSTIC ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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