文献
J-GLOBAL ID:201702281381127860
整理番号:17A0362527
850nm GaAsベースVCSELのESD試験【Powered by NICT】
ESD tests on 850nm GaAs-based VCSELs
著者 (4件):
Vanzi M.
(University of Cagliari - DIEE, Piazza d’Armi, 09123 Cagliari, Italy)
,
Mura G.
(University of Cagliari - DIEE, Piazza d’Armi, 09123 Cagliari, Italy)
,
Marcello G.
(University of Cagliari - DIEE, Piazza d’Armi, 09123 Cagliari, Italy)
,
Xiao K.
(Huawei Technology Co., Ltd, Longgang District Sakata Huawei E1-3D, 13560727253, Shenzhen, China)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
64
ページ:
617-622
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)