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文献
J-GLOBAL ID：201702281383162658
整理番号：17A1567869
p型Cu_2O薄膜トランジスタにおける高オフ状態電流の起源【Powered by NICT】
The Origin of the High Off-State Current in p-Type Cu2O Thin Film Transistors
Han Sanggil
(Engineering Department, Electrical Engineering Division, Cambridge University, Cambridge, U.K.)
,
Flewitt Andrew J.
(Engineering Department, Electrical Engineering Division, Cambridge University, Cambridge, U.K.)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 10 ページ： 1394-1397 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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