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文献
J-GLOBAL ID：201702281410682301
整理番号：17A1239843
可視-近赤外広帯域フォトダイオードの空乏領域を介した選択的電子または正孔輸送に及ぼすピエゾ-フォトトロニック効果【Powered by NICT】
Piezo-Phototronic Effect on Selective Electron or Hole Transport through Depletion Region of Vis-NIR Broadband Photodiode
Zou Haiyang
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Li Xiaogan
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Li Xiaogan
(School of Electronic Science and Technology, Institute for sensing Technologies, Dalian University of Technology, Dalian, Liaoning, 116024, China)
,
Peng Wenbo
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Wu Wenzhuo
(School of Industrial Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, 47907-2023, USA)
,
Yu Ruomeng
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Wu Changsheng
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Ding Wenbo
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Hu Fei
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Liu Ruiyuan
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Zi Yunlong
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Wang Zhong Lin
(School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
,
Wang Zhong Lin
(Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 29 号： 29 ページ： null 発行年： 2017年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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