文献
J-GLOBAL ID:201702281422437803
整理番号:17A0705496
強化されたホルムアルデヒド検出性能のためのSnドーピングによるp型3DOM NiOの電子補償【Powered by NICT】
Electron compensation in p-type 3DOM NiO by Sn doping for enhanced formaldehyde sensing performance
著者 (4件):
Wang Zhihua
(State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. gufb@mail.buct.edu.cn)
,
Zhou Heng
,
Han Dongmei
,
Gu Fubo
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
13
ページ:
3254-3263
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)