文献
J-GLOBAL ID:201702281501741468
整理番号:17A0498258
ZnOベースDSSCにおける光起電力性能を向上させるためのコンパクトなZnOブロック層の微調整:β再結合,EIS,OCVDおよびIMVS技術を用いた詳細な洞察
Fine tuning of compact ZnO blocking layers for enhanced photovoltaic performance in ZnO based DSSCs: a detailed insight using β recombination, EIS, OCVD and IMVS techniques
著者 (7件):
Sasidharan Swetha
(Materials Science and Technology Division, National Institute for Interdisciplinary Science and Technology (CSIR-NIIST), Thiruvananthapuram-695019, India. hareesh@niist.res.in)
,
Soman Suraj
,
Pradhan Sourava Chandra
,
Unni K. N. Narayanan
,
Mohamed Abdul Azeez Peer
,
Nair Balagopal Narayanan
,
Saraswathy Hareesh Unnikrishnan Nair
資料名:
New Journal of Chemistry
(New Journal of Chemistry)
巻:
41
号:
3
ページ:
1007-1016
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0785A
ISSN:
1144-0546
CODEN:
NJCHE5
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)