文献
J-GLOBAL ID:201702281518987010
整理番号:17A1005795
集積抵抗ランダムアクセスメモリアレイの信頼性に対する残留炭素含量の主要な影響の機構
Mechanism of the Key Impact of Residual Carbon Content on the Reliability of Integrated Resistive Random Access Memory Arrays
著者 (13件):
NIU Gang
(Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN)
,
NIU Gang
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
,
CARTOIXA Xavier
(Universitat Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
,
GROSSI Alessandro
(Universita degli Studi di Ferrara, Ferrara, ITA)
,
ZAMBELLI Cristian
(Universita degli Studi di Ferrara, Ferrara, ITA)
,
OLIVO Piero
(Universita degli Studi di Ferrara, Ferrara, ITA)
,
PEREZ Eduardo
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHUBERT Markus Andreas
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
,
ZAUMSEIL Peter
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
,
COSTINA Ioan
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHROEDER Thomas
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
,
SCHROEDER Thomas
(Brandenburgische Technische Univ., Cottbus, DEU)
,
WENGER Christian
(IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
121
号:
12
ページ:
7005-7014
発行年:
2017年03月30日
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)