文献
J-GLOBAL ID:201702281559592226
整理番号:17A0222643
Ti/マグネタイト/SiOx/Siヘテロ構造における多重状態抵抗スイッチングの起源
Origin of multistate resistive switching in Ti/manganite/SiOx/Si heterostructures
著者 (5件):
Roman Acevedo W.
(Gerencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499, San Martin, 1650 Buenos Aires, Argentina)
,
Acha C.
(Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Godoy Cruz 2290, 1425 Buenos Aires, Argentina)
,
Sanchez M. J.
(Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Godoy Cruz 2290, 1425 Buenos Aires, Argentina)
,
Levy P.
(Gerencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499, San Martin, 1650 Buenos Aires, Argentina)
,
Rubi D.
(Gerencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499, San Martin, 1650 Buenos Aires, Argentina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
5
ページ:
053501-053501-5
発行年:
2017年01月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)