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文献
J-GLOBAL ID：201702281563542263
整理番号：17A0375073
オプトエレクトロニクス応用のための電子ビーム蒸発により作製したポリGe膜の構造的および電気的解析【Powered by NICT】
Structural and electrical analysis of poly-Ge films fabricated by e-beam evaporation for optoelectronic applications
Kabacelik Ismail
(Department of Physics, Akdeniz University, Antalya 07058, Turkey)
,
Kulakci Mustafa
(Institute of Earth and Space Sciences, Anadolu University, Eskisehir 26470, Turkey)
,
Kulakci Mustafa
(Nanoboyut Research Laboratory, Department of Physics, Anadolu University, Eskisehir 26470, Turkey)
,
Turan Rasit
(Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara 06800, Turkey)
,
Turan Rasit
(Center for Solar Energy Research and Applications (GUENAM), Middle East Technical University, Ankara 06800, Turkey)
,
Turan Rasit
(Department of Micro and Nanotechnology, Middle East Technical University, Ankara 06800, Turkey)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 56 ページ： 368-372 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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