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文献
J-GLOBAL ID：201702281648492657
整理番号：17A0754688
曝露されたTiO_2膜とAg/TiO_2/p Si MOS素子の17keVX線の光学的および電気的特性【Powered by NICT】
Optical and electrical characteristics of 17keV X-rays exposed TiO2 films and Ag/TiO2/p-Si MOS device
Ishfaq M.
(Centre for Micro and Nano Devices, Department of Physics, Park Road Campus, COMSATS Institute of Information Technology, Islamabad 44000, Pakistan)
,
Khan M. Rizwan
(Centre for Micro and Nano Devices, Department of Physics, Park Road Campus, COMSATS Institute of Information Technology, Islamabad 44000, Pakistan)
,
Ali Awais
(Centre for Micro and Nano Devices, Department of Physics, Park Road Campus, COMSATS Institute of Information Technology, Islamabad 44000, Pakistan)
,
Bhardwaj Sunil
(CNR-IOM, Laboratorio TASC, StradaStatale 14, Km.163.5 I-34149, Trieste, Italy)
,
Cepek Cinzia
(CNR-IOM, Laboratorio TASC, StradaStatale 14, Km.163.5 I-34149, Trieste, Italy)
,
Bhatti A.S.
(Centre for Micro and Nano Devices, Department of Physics, Park Road Campus, COMSATS Institute of Information Technology, Islamabad 44000, Pakistan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63 ページ： 107-114 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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