文献
J-GLOBAL ID:201702281680319195
整理番号:17A0326000
薄いCリッチSiCバッファ層上に成長させた屈曲性基板のないGaN LEDの移動フレキシブル誘電体と金属板へ【Powered by NICT】
Transferring the bendable substrateless GaN LED grown on a thin C-rich SiC buffer layer to flexible dielectric and metallic plates
著者 (11件):
Cheng Chih-Hsien
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, 1, Roosevelt Road Sec. 4, Taipei 10617, Taiwan, Republic of China. grlin@ntu.edu.tw)
,
Huang Tzu-Wei
,
Wu Chung-Lun
,
Chen Mu Ku
,
Chu Cheng Hung
,
Wu Yuh-Renn
,
Shih Min-Hsiung
,
Lee Chao-Kuei
,
Kuo Hao-Chung
,
Tsai Din Ping
,
Lin Gong-Ru
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
3
ページ:
607-617
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)