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文献
J-GLOBAL ID：201702281786782592
整理番号：17A0375047
高効率薄膜太陽電池用の傾斜バンドギャップとμc-Si:Hバッファ層を持つシリコンゲルマニウム活性層【Powered by NICT】
Silicon germanium active layer with graded band gap and μc-Si:H buffer layer for high efficiency thin film solar cells
Pham Duy Phong
(College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Kim Sangho
(Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Park Jinjoo
(College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Le AnhHuy Tuan
(College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Cho Jaehyun
(Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Jung Junhee
(Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Iftiquar S.M.
(College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Yi Junsin
(College of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
,
Yi Junsin
(Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 56 ページ： 183-188 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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