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文献
J-GLOBAL ID：201702281836235140
整理番号：17A1345127
高抵抗トラップリッチSOIにおけるDC30GHz DPDTスイッチ行列設計【Powered by NICT】
DC 30-GHz DPDT Switch Matrix Design in High Resistivity Trap-Rich SOI
Yu Bo
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Ma Kaixue
(School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Meng Fanyi
(School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Yeo Kiat Seng
(Singapore University of Technology and Design, Singapore)
,
Shyam Parthasarathy
(Department of Technology Development, Globalfoundries, Singapore)
,
Zhang Shaoqiang
(Department of Technology Development, Globalfoundries, Singapore)
,
Verma Purakh Raj
(Department of Technology Development, Globalfoundries, Singapore)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 9 ページ： 3548-3554 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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