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文献
J-GLOBAL ID：201702281870726475
整理番号：17A0488407
広いバンドギャップを有する半導体における光増感および光電流スイッチ効果 鉄及びニッケル錯体で官能化したCuI及びTiO2 半導体からロジックデバイスまで
Photosensitization and photocurrent switching effects in wide band gap semiconductors: CuI and TiO2 functionalized with iron and nickel complexes: from semiconductors to logic devices
WOJTYLA Szymon
(SajTom Light Future LTD, Czaniec, POL)
,
BARAN Tomasz
(SajTom Light Future LTD, Czaniec, POL)
,
BARAN Tomasz
(Univ. Milan, Milan, ITA)
資料名：
Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials
(Journal of Inorganic and Organometallic Polymers and Materials)
巻： 27 号： 2 ページ： 436-445 発行年： 2017年03月
JST資料番号： W0462A ISSN： 1574-1443 CODEN： JIOPE4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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