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文献
J-GLOBAL ID：201702281917462938
整理番号：17A0549330
NbNiシリサイドを導入した4H-SiC pMOSFETsの研究
梶原純
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研)
,
黒木伸一郎
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研)
,
黒木伸一郎
(KTH Royal Inst. of Technol.)
,
石川誠治
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研)
,
石川誠治
(フェニテックセミコンダクター)
,
前田知徳
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研)
,
前田知徳
(フェニテックセミコンダクター)
,
瀬崎洋
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研)
,
瀬崎洋
(フェニテックセミコンダクター)
,
吉川公麿
(広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研)
,
牧野高紘
(量子科学技術研究開発機構)
,
大島武
(量子科学技術研究開発機構)
,
OESTLING Mikael
(KTH Royal Inst. of Technol.)
,
ZETTERLING Carl-Mikael
(KTH Royal Inst. of Technol.)
資料名：
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th ページ： ROMBUNNO.15p-F204-17 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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