文献
J-GLOBAL ID:201702281962993637
整理番号:17A0666067
タングステンドープInZnO薄膜トランジスタのデバイス性能に及ぼす活性層厚さの影響【Powered by NICT】
Effect of Active Layer Thickness on Device Performance of Tungsten-Doped InZnO Thin-Film Transistor
著者 (5件):
Park Hyun-Woo
(Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul, South Korea)
,
Park Kyung
(Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, Incheon, South Korea)
,
Kwon Jang-Yeon
(Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, Incheon, South Korea)
,
Choi Dukhyun
(Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, Kyung Hee University, Yongin, South Korea)
,
Chung Kwun-Bum
(Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
1
ページ:
159-163
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)