文献
J-GLOBAL ID:201702282013333055
整理番号:17A0591537
電着したCuInSe2吸収材の微細構造と変換効率に及ぼすアニーリング圧の影響
Effects of Annealing Pressure on Microstructure and Conversion Efficiency for Electrodeposited CuInSe2 Absorbers
著者 (3件):
LEE Wen-Hsi
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG Tsung-Wei
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SU Yin-Hsien
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
1
ページ:
773-779
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)