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文献
J-GLOBAL ID：201702282030940205
整理番号：17A0399711
赤外収束加熱浮遊帯法により形成されたシリコン溶融帯に及ぼす成長パラメータの影響【Powered by NICT】
Effects of growth parameters on silicon molten zone formed by infrared convergent-heating floating zone method
Hossain Md. Mukter
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Watauchi Satoshi
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Nagao Masanori
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Tanaka Isao
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 459 ページ： 105-111 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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