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文献
J-GLOBAL ID：201702282152629303
整理番号：17A0911212
負性静電容量電界効果トランジスタのための電流-電圧モデル【Powered by NICT】
Current-Voltage Model for Negative Capacitance Field-Effect Transistors
Lee Hyunjae
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea)
,
Yoon Youngki
(Department of Electrical and Computer Engineering & Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada)
,
Shin Changhwan
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul, South Korea)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 5 ページ： 669-672 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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