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文献
J-GLOBAL ID：201702282191604453
整理番号：17A0769567
高歪補償InGaAs/InAlAs超格子の構造と光ルミネセンス特性【Powered by NICT】
Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice
GU Yi
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
ZHANG Yong-Gang
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
LI Ai-Zhen
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
WANG Kai
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
LI Cheng
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
,
LI Yao-Yao
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 26 号： 7 ページ： 335-338 発行年： 2009年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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