文献
J-GLOBAL ID:201702282204133794
整理番号:17A0885685
序文【Powered by NICT】
Foreword
著者 (9件):
Noh Yong-Young
(Dongguk University, Seoul, South Korea)
,
Guo Xiaojun
(Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China)
,
Hussain Muhammad Mustafa
(King Abdullah University of Science and Technology, Saudi Arabia)
,
Ma Zhenqiang Jack
(University of Wisconsin-Madison, Madison, WI, USA)
,
Akinwande Deji
(University of Texas at Austin, Austin, TX, USA)
,
Caironi Mario
(Istituto Italiano di Tecnologia, Milan)
,
Anthopoulos Thomas D.
(Imperial College London, London, U.K)
,
Ng Tse Nga Tina
(University of California, San Diego, CA, USA)
,
Ishihara Ryoichi
(Delft University of Technology, Delft, AA, The Netherlands)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
1878-1880
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)