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文献
J-GLOBAL ID：201702282234729522
整理番号：17A0145817
信頼性物理学に基づくVsdとRds()を超えた限界を有するVDMOSデバイスの故障解析【Powered by NICT】
Failure analysis of the VDMOS device with Vsd and Rds (on) exceeded limit based on reliability physics
Li Qing
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Gao Bo
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Deng Haitao
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Lulu
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Yang Dandan
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Lixin
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Luo Jiajun
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Han Zhengsheng
(Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： PHM (Chengdu) ページ： 1-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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