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文献
J-GLOBAL ID：201702282371533948
整理番号：17A1570405
ゲートシリコン電界エミッタアレイからの電子放出に及ぼす偏光の依存性【Powered by NICT】
Dependence of light polarization on electron emission from gated silicon field emitter arrays
Shimawaki Hidetaka
(Graduate School of Engineering, Hachinohe Institute of Technology, Hachinohe, Japan)
,
Nagao Masayoshi
(National Institute of Advanced Industrial Sci. & Technol., Tsukuba, Japan)
,
Neo Yoichiro
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
,
Mimura Hidenori
(Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
,
Wakaya Fujio
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Machikaneyama, Japan)
,
Takai Mikio
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Machikaneyama, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IVNC ページ： 286-287 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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