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J-GLOBAL ID:201702282397674579   整理番号:17A0385674

青色発光ダイオード応用に対するp/n-GaNトンネル接合に関する全有機金属化学蒸着エピタクシー

All metalorganic chemical vapor phase epitaxy of p/n-GaN tunnel junction for blue light emitting diode applications
著者 (9件):
Neugebauer S.
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
Hoffmann M. P.
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
Witte H.
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
Blaesing J.
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
Dadgar A.
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
Strittmatter A.
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany)
Niermann T.
(Institut fuer Optik und Atomare Physik, Technische Universitaet Berlin, Strasse des 17. Juni 136, 10623 Berlin, Germany)
Narodovitch M.
(Institut fuer Optik und Atomare Physik, Technische Universitaet Berlin, Strasse des 17. Juni 136, 10623 Berlin, Germany)
Lehmann M.
(Institut fuer Optik und Atomare Physik, Technische Universitaet Berlin, Strasse des 17. Juni 136, 10623 Berlin, Germany)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 110  号: 10  ページ: 102104-102104-5  発行年: 2017年03月06日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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