文献
J-GLOBAL ID:201702282449976297
整理番号:17A1262407
一軸歪ホスホレントンネル電界効果トランジスタの性能【Powered by NICT】
The Performance of Uniaxially Strained Phosphorene Tunneling Field- Effect Transistors
著者 (3件):
Seo Junbeom
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
,
Jung Sungwoo
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
,
Shin Mincheol
(School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
8
ページ:
1150-1152
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)