文献
J-GLOBAL ID:201702282526258818
整理番号:17A0325954
EuO/Si界面のバンド構造:シリコンスピントロニクスのための正当化【Powered by NICT】
Band structure of the EuO/Si interface: justification for silicon spintronics
著者 (7件):
Lev L. L.
(Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute, CH-5232 Villigen, Switzerland)
,
Averyanov D. V.
,
Tokmachev A. M.
,
Bisti F.
,
Rogalev V. A.
,
Strocov V. N.
,
Storchak V. G.
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
1
ページ:
192-200
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)