文献
J-GLOBAL ID:201702282765952339
整理番号:17A0664514
大面積,化学蒸着による数層2次元MoTe_2と横方向1t′ 2Hヘテロ構造の位相制御成長【Powered by NICT】
Large area, phase-controlled growth of few-layer, two-dimensional MoTe2 and lateral 1T′-2H heterostructures by chemical vapor deposition
著者 (6件):
Cheng Shuai
(Center for Joining and Electronic Packaging, State Key Laboratory of Material Processing and Die & Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China. wfzhang@hust.edu.cn hxchang@hust.edu.cn)
,
Yang Li
,
Li Jie
,
Liu Zhixuan
,
Zhang Wenfeng
,
Chang Haixin
資料名:
CrystEngComm
(CrystEngComm)
巻:
19
号:
7
ページ:
1045-1051
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2462A
ISSN:
1466-8033
CODEN:
CRECF4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)