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文献
J-GLOBAL ID：201702282777558234
整理番号：17A0318038
ポストCu CMPプロセスに及ぼすTAD基づく洗浄液の影響【Powered by NICT】
The effect of TAD based cleaning solution on post Cu CMP process
Lee Sang Won
(School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Process, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea)
,
Bae Ki Ho
(School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Process, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea)
,
Kwon Oh Joong
(Department of Energy and Chemical Engineering, Incheon National University, 119 Academy-ro Yeonsu-gu, In-cheon 406-772, Republic of Korea)
,
Kim Jae Jeong
(School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Process, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 162 ページ： 17-22 発行年： 2016年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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