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文献
J-GLOBAL ID：201702282952144796
整理番号：17A0439855
低電圧フレキシブル薄膜トランジスタおよび集積インバータ回路用の溶液処理されたp型銅(I)チオシアネート(CuSCN)
Solution-processed p-type copper(I) thiocyanate (CuSCN) for low-voltage flexible thin-film transistors and integrated inverter circuits
Petti Luisa
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom)
,
Pattanasattayavong Pichaya
(Department of Materials Science and Engineering, School of Molecular Science and Engineering, Vidyasirimedhi Institute of Science and Technology (VISTEC), Rayong 21210, Thailand)
,
Lin Yen-Hung
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom)
,
Muenzenrieder Niko
(Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Cantarella Giuseppe
(Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Yaacobi-Gross Nir
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom)
,
Yan Feng
(Department of Applied Physics and Materials Research Centre, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong, China)
,
Troster Gerhard
(Electronics Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology Zurich, Gloriastrasse 35, 8092 Zurich, Switzerland)
,
Anthopoulos Thomas D.
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, London SW7 2AZ, United Kingdom)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 11 ページ： 113504-113504-5 発行年： 2017年03月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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