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文献
J-GLOBAL ID：201702282967978895
整理番号：17A0751640
溶液法による誘電体処理としてZrO_2を用いた透明酸化インジウム亜鉛薄膜トランジスタの性能【Powered by NICT】
Performances of transparent indium zinc oxide thin film transistors using ZrO2 as dielectric processed by solution method
Zhao Jun Wei
(School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
,
Zhang Xin An
(School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
,
Li Shuang
(School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
,
Zheng Hai Wu
(School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
,
Yang Guang
(School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
,
Zhang Wei Feng
(School of Physics and Electronics, Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Henan University, Kaifeng 475004, P.R. China)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214 号： 1 ページ： ROMBUNNO.201600315 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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