文献
J-GLOBAL ID:201702282991991959
整理番号:17A0151802
定電圧ストレス多層酸化物スタック中の導電性フィラメント生成速度の関数適合モデル
Function-fit model for the rate of conducting filament generation in constant voltage-stressed multilayer oxide stacks
著者 (5件):
Rodriguez-Fernandez A.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain)
,
Sune J.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain)
,
Miranda E.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain)
,
Gonzalez M. B.
(Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain)
,
Campabadal F.
(Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Campus UAB, 08193 Cerdanyola del Valles, Spain)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
35
号:
1
ページ:
01A108-01A108-6
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)