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文献
J-GLOBAL ID：201702283024057083
整理番号：17A0025956
エッチスットップ層を通してのドライエッチング損傷により生ずるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の異常増加
Anomalous Increase in Field-Effect Mobility in In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Caused by Dry-Etching Damage Through Etch-Stop Layer
Koretomo Daichi
(School of Environmental Science and Engineering, Center for Nanotechnology in Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Japan)
,
Toda Tatsuya
(School of Environmental Science and Engineering, Center for Nanotechnology in Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Japan)
,
Matsuda Tokiyoshi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan)
,
Kimura Mutsumi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Otsu, Japan)
,
Furuta Mamoru
(School of Environmental Science and Engineering, Center for Nanotechnology in Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 7 ページ： 2785-2789 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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