文献
J-GLOBAL ID:201702283216210945
整理番号:17A1836488
炭化けい素パワーMOSFETの衛星及び地上放射応答【Powered by NICT】
Space and terrestrial radiation response of silicon carbide power MOSFETs
著者 (5件):
Akturk Akin
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
,
McGarrity James M.
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
,
Wilkins Richard
(Department of Electrical and Computer Engineering and the Center for Radiation Engineering and Science for Space Exploration, Prairie View A&M University, Prairie View, TX 77446 USA)
,
Markowski Adam
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
,
Cusack Brendan
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
NSREC
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)