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文献
J-GLOBAL ID:201702283216210945   整理番号:17A1836488

炭化けい素パワーMOSFETの衛星及び地上放射応答【Powered by NICT】

Space and terrestrial radiation response of silicon carbide power MOSFETs
著者 (5件):
Akturk Akin
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
McGarrity James M.
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
Wilkins Richard
(Department of Electrical and Computer Engineering and the Center for Radiation Engineering and Science for Space Exploration, Prairie View A&M University, Prairie View, TX 77446 USA)
Markowski Adam
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)
Cusack Brendan
(CoolCAD Electronics, LLC, College Park, MD 20740 USA)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: NSREC  ページ: 1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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