文献
J-GLOBAL ID:201702283248556898
整理番号:17A1544984
非破壊短絡動作中の1200V SiC電力MOSFETの損傷を受けた平面酸化物に関する研究【Powered by NICT】
Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation
著者 (5件):
Boige F.
(LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, Toulouse, France)
,
Richardeau F.
(LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, Toulouse, France)
,
Tremouilles D.
(LAAS-CNRS, University of Toulouse, CNRS, Toulouse, France)
,
Lefebvre S.
(SATIE, CNAM, CNRS, ENS Cachan, Cachan, France)
,
Guibaud G.
(THALES Communications & Security, ITEC Lab, CNES, Toulouse, France)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
76-77
ページ:
500-506
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)